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证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体器件的制备方法”，专利申请号为CN202511850942.3，授权日为2026年5月1日。

专利摘要：本申请提供了一种半导体器件的制备方法，包括提供衬底，所述衬底上具有栅极结构；在所述衬底及所述栅极结构上形成侧墙氧化层；在所述侧墙氧化层上形成应力记忆层并进行第一退火工艺；去除所述应力记忆层及部分厚度的所述侧墙氧化层；对剩余的所述侧墙氧化层进行掺氮工艺；刻蚀以去除剩余的所述侧墙氧化层。本申请意料不到的效果是：通过对剩余的所述侧墙氧化层进行掺氮工艺从而在剩余的所述侧墙氧化层中掺入氮离子，从而增加刻蚀以去除剩余的所述侧墙氧化层时的刻蚀速率，保证剩余的所述侧墙氧化层可以被去除干净，避免衬底上残留的侧墙氧化层影响后续金属接触层的形成，提高了器件的导电性能。

今年以来晶合集成新获得专利授权186个，较去年同期增加了56.3%。结合公司2025年年报财务数据，2025年公司在研发方面投入了14.53亿元，同比增13.2%。

通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了11家企业，参与招投标项目644次；财产线索方面有商标信息75条，专利信息1621条，著作权信息9条；此外企业还拥有行政许可26个。

数据来源：天眼查APP

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